昆明国兴半导体有限公司半导体材料研发中心项目环境影响报告书第三次报送审批前全文本信息公示
发布时间：2025-02-13 10:49
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来源：云南滇中新区
依据《环境影响评价公众参与办法》（生态环境部令第4号）等有关规定和要求，对半导体材料研发中心项目环境影响报告书进行报送审批前全文本信息公示。
一、 项目情况简述
项目名称：半导体材料研发中心项目
建设单位：昆明国兴半导体有限公司
建设地点：云南滇中新区临空产业园滇中新区医疗器械产业园
建设性质：新建
建设规模：租用云南滇中新区临空产业园厂房，建设面积4000平方米，计划购置研发生产及配套设备30余套，用于从事半导体材料研发及生产活动，建成年产硅外延片15万片的生产线1条。
项目总投资：23000万元。
二、 公众查阅环境影响报告书全本的方式和期限
（1）报告书索取方式
携带个人身份证（原件）到昆明国兴半导体有限公司领取环评报告书和公众参与说明，也可以通过互联网查阅电子报告。环境影响报告书及环境影响评价公众参与说明网络链接：
附件2：公众参与说明
（2）公众提出意见期限：自本公告发布之日起的5个工作日内。
三、 建设单位联系人及联系方式
（1）建设单位：昆明国兴半导体有限公司 赵总 电话：0871—68180009
地址：云南省滇中新区秧旺街滇中新区空港智园项目(一期)1幢1层101-30
（2）编制单位：云南江楚环保科技有限公司
联 系 人：李工182*****802
E-mail：1046144402@qq.com
地址：中国（云南）自由贸易试验区昆明片区官渡区环城南路108号东来大厦16楼A座。
昆明国兴半导体有限公司
2025年2月13日
